ยักษ์ใหญ่วงการหน่วยความจำ Samsung, SK Hynix และ Micron เริ่มก้าวแรกพัฒนา DDR6 แล้ว โดยมีการร่วมมือกับผู้ผลิตแผงวงจรเพื่อออกแบบและสร้างตัวต้นแบบสำหรับการทดสอบ แม้ว่ามาตรฐานอย่างเป็นทางการจาก JEDEC จะยังอยู่ในช่วงร่างข้อกำหนดและยังไม่ได้ข้อสรุปทั้งหมด แต่การขยับนี้ก็บ่งบอกว่าอุตสาหกรรมกำลังเตรียมพร้อมเข้าสู่ยุคถัดไปของแรมแล้ว
คาดการณ์ว่าจะก้าวกระโดดจาก DDR5 มาก ความเร็วเริ่มต้นที่ 8,800 MT/s และอาจพุ่งไปถึง 17,600 MT/s สูงกว่าเพดานเดิมถึงเท่าตัว และมีแนวโน้มที่การปรับแต่งความเร็ว Overclock ช่วยเร่งความเร็วไปได้อีกถึง 21,000 MT/s เลยทีเดียว พร้อมกับสถาปัตยกรรมแบบ multi-channel ช่วยให้การประมวลผลข้อมูลทำได้ดีขึ้น
นอกเหนือจากแรมแบบที่คุ้นเคยแล้ว ยังให้ความสำคัญกับมาตรฐาน CAMM2 ที่จะเป็นหัวใจหลักสำหรับโน้ตบุ๊กและอุปกรณ์พกพาขนาดเล็กด้วย เพราะให้ประสิทธิภาพและความจุที่เหนือกว่าแรมขนาดเล็กแบบเดิม กลุ่มตลาดแรกที่จะได้สัมผัส DDR6 คือกลุ่มเซิร์ฟเวอร์และ Data Centers ที่ต้องการแบนด์วิดท์มหาศาลรองรับงาน AI
แต่ก็อาจต้องรอนานหน่อย คาดว่า DDR6 จะเริ่มลงตลาดช่วงปี 2028-2029 และมีแนวโน้มว่าราคาในช่วงเปิดตัวจะค่อนข้างสูง เพราะต้นทุนการผลิตแผงวงจรที่ซับซ้อนขึ้น ประกอบกับสถานการณ์ตลาดหน่วยความจำปัจจุบันที่ผู้เน้นไปที่ผลิตภัณฑ์กลุ่ม AI ที่มีกำไรสูงกว่า ทำให้แรมรุ่นใหม่อาจจะยังไม่ใช่ของราคาถูกสำหรับคอมพิวเตอร์ทั่วไปในช่วงแรก
ที่มา t.ly/AwDAB
